Numărul de produs al producătorului:
TSM60NB190CI C0G
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM60NB190CI C0G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 18A ITO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 33.8W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventar:
731 Piese Noi Originale În Stoc
12896318
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM60NB190CI C0G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1273 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
33.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ITO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
TSM60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TSM60NB190CI C0G-DG
TSM60NB190CIC0G
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TSM60NB190CI
PRODUCĂTOR
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
TSM60NB190CI-DG
PREȚ UNIC
3.85
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMP56D0UFB-7
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
DMT615MLFV-7
MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
TP0202K-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3